随着微波混合集成电路向着高性能高可靠高均匀性及低成本方向的发展,其对芯片焊接工艺的要求变得越来越高，这对实现芯片焊接工艺的设备也提出了极高的要求。真空共晶炉作为实现芯片共晶焊接工艺必须的设备，其性能指标对共晶工艺焊接的质量及生产效率有很大影响,尤其是真空共晶炉的温度均匀性及生产效率，针对此要求，今天我们一块了解下这款设备。

1、简介

真空共晶炉是微电子行业利用共晶原理在真空或保护气氛下进行焊接的关键性设备。可根据焊接对象的共晶特点,设定工艺曲线,在惰性气体或真空环境中加热达到共晶的温度，保持一段时间后充气冷却,达到共晶焊接的目的。可准确控制炉腔内的共晶环境，包括温度、真空度﹑充气气体流量和时间等。

2、原理

共晶炉加热方式是采用石英灯红外加热器辐射加热，红外线加热具有可内外同时加热,穿透力强升温迅速以及热滞后小热交换速率快的特点。红外线照射到被加热的物体时一部分射线被穿透过去。被加热的物体吸收这部分红外线热能时被加热物体内部分子和原子发生共振,这样能使被加热物体温度升高,加热的目的就达成了。

3、重点

利用此加热方式,重要的是红外线波长与被加热物体波长的匹配,即当照射到物体上的红外线频率与组成该物体的物质分子振动频率相同时,分子会与红外辐体的物质分子振动频率变得一样是,分子就会共振吸收对红外辐射能量，同时通过分子间能量的传递使分子内能)增加,表现为物体温度升高。

影响真空共晶炉温度均匀性的因素有很多,主要包括炉腔内石英灯红外加热器之间的排布、单支石英灯红外加热器的功率分布、石英灯红外加热器与被加热物体之间的距离、被加热物体吸收波长的特性等。准确的工艺环境控制和使用的安全性使得其成为共晶焊接的理想设备。温度均匀性和冷却速率的提升是设备性能提升的关键。